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本文標題："使用金相顯微鏡觀察矽晶基板的表面粗糙度"
新聞來源：未知 發布時間：2013-5-30 17:25:02 本站主頁地址：http://m.zulinpingtai.cn
矽晶基板所使用之單晶、多晶基板主要制作技術為複線式線鋸切割制程(Multi-wire sawing process)。
發展快速熱退火（Rapid thermal annealing, RTA）方法及實驗設備應用于線鋸切削制程成品中以
探討材料改質對于切削晶片的厚度均勻性、表面粗糙度、破壞深度之影響，
由Within-Wafer的觀察法可知在退火溫度提升到550℃時，
單一晶片上不同位置厚度值及厚度標準差為最佳，并且切削至黏膠面位置時的厚度值與粗糙度跳動較小；
Between-Wafer觀察法則可得知在經過550℃快速熱退火后的平均厚度，在不同切削成品位置可因為降低了晶片碎邊的
情況因而得到較為平均的分佈。因此經快速熱退火后可由顯微觀察及測試，可改善切穿晶片過程中的晶格破裂情況、
晶片邊緣不完整性與降低切穿時不穩定狀態所造成的破壞深度等情況。其中破壞深度可由550℃RTA后改善約52%。
運用在研發切削薄化晶圓的晶片厚度與表面粗糙度改善，進而達到切削大尺寸高品質矽晶圓基板之應用。
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