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本文標(biāo)題："實驗專業(yè)偏光顯微鏡觀察晶體的生長速度"
新聞來源：未知 發(fā)布時間：2013-11-20 22:31:24 本站主頁地址：http://m.zulinpingtai.cn
實驗專業(yè)偏光顯微鏡觀察晶體的生長速度
最先達(dá)到最高過冷度的部位(如與型壁接觸部位)是初生奧氏體最早
形核部位，然后快速長人過冷的鐵液中。對于遠(yuǎn)離型壁處奧氏體的形成，可以用成分過冷
來解釋，也可以用液體流動的作用來說明。在奧氏體形成和長大過程中排除碳、錳、硫和
磷等溶質(zhì)，使奧氏體一液體界面前沿液相出碳和錳等溶質(zhì)元素的富集層和硅等元素的貧
乏，形成了硅的負(fù)偏析、錳的正偏析。溶質(zhì)富集層液相的結(jié)晶開始溫度降低使界面前沿液
相產(chǎn)生成分過冷;當(dāng)成分過冷區(qū)的過冷度大于奧氏體形核所需的過冷度時會有新的奧氏體
晶核形成，即構(gòu)成內(nèi)生等軸樹枝晶生長。在型壁處已形核的奧氏體晶體生長時，其界面前
沿液體中形成溶質(zhì)偏析層，導(dǎo)致晶體生長速度減慢;在靠近型壁的晶體根部溶質(zhì)原子擴散
困難，而晶體前端溶質(zhì)原子擴散容易，這樣晶體根部的生長速度比其前端慢得多，結(jié)果會
在晶體根部形成“縮頸”;當(dāng)界面附近液體中存在對流或溫度波動時使晶體自型壁上脫
落，脫落的晶體隨對流漂移到前方液體中，由于溫度起伏使隨對流漂移的
晶體可能部分熔化或生長，產(chǎn)生“晶體增殖”，成為新的奧氏體晶核
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