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本文標題："晶片表面微細結構試件樣品分析顯微鏡"
新聞來源：未知 發布時間：2017-6-13 22:19:09 本站主頁地址：http://m.zulinpingtai.cn
晶片表面微細結構試件樣品分析顯微鏡
可以用泵來吸走和清除。在過去的幾年中，CVD方法實際上已
替代了半導體技術中的蒸發技術。用CVD方法可以生產所有集成電
路需要的涂層，單晶體的生長也可以用外延法在CVD工藝中實現(這
一點將在下一段中介紹)。單晶硅層也可以由多晶硅制造(就像標準
的CVD生產技術)。單晶硅層的制造在有一個“內層”的外延和一個
籽晶存在的情況下，加熱薄膜即可。
外延
在正常壓力和低壓的情況下，來自氣相的外延是單晶硅薄膜生
長的標準方法。在氣相條件下，精確的外延溫度控制在涂層質量方
面起著重要作用，它不僅維持和控制硅片的溫度為1050—1150℃，
而且使跨過整個硅片的溫度差變得最小。在低壓狀態下，當加熱硅
片時，對流的影響較小，熱傳導(通過整個表面的直接接觸)和輻射
起主要作用。在真空中，基體的均勻加熱是一個問題，這是因為晶
片既不能由一個真空夾頭固定，也不能機械地夾到加熱器上，并且
不能造成晶片表面微細結構的損傷。對熱接觸，需要的是最大可能
的表面積。在高溫下，晶片中的應力會得到緩解，但可能導致附加
的變形和接下來的表面上熱的不均勻性
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