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本文標(biāo)題："固態(tài)層覆蓋摻雜物截面分析便攜式顯微鏡"
新聞來源：未知 發(fā)布時間：2017-6-14 1:52:37 本站主頁地址：http://m.zulinpingtai.cn
固態(tài)層覆蓋摻雜物截面分析便攜式顯微鏡
在擴(kuò)散過程中，規(guī)則的晶格原子被熱動力平衡過程中的摻雜原
子所代替。這樣對改變半導(dǎo)體的電子性能有作用。進(jìn)行摻雜的兩個
最重要的方法是恒定表面濃度擴(kuò)散和恒定總摻雜物擴(kuò)散。
在“恒定的表面濃度的擴(kuò)散”方式下，摻雜物由“不可耗盡的
”氣源供給，因此晶體外表面摻雜物的濃度，在整個擴(kuò)散過程中保
持恒定。在“恒定總摻雜物擴(kuò)散”方式下，晶體表面開始由摻雜物
的固態(tài)層所覆蓋。可是摻雜物的供應(yīng)是有限的，因為隨著擴(kuò)散的進(jìn)
行摻雜物最后會耗盡。
在“恒定表面濃度擴(kuò)散”方式下，摻雜物原子由氣相供應(yīng)，晶
體表面的摻雜物濃度可以調(diào)節(jié)，在給定溫度下，特殊摻雜物的濃度
與其在硅中的溶解度相對應(yīng)。
(a)恒定表面濃度的擴(kuò)散；(b)恒定總摻雜物的擴(kuò)散；(c)離子
注入
如果在硅片表面上摻雜層的厚度為dx，摻雜層的面積為A，由
于總摻雜物濃度是恒定的，并且在給定時間單元內(nèi)可以擴(kuò)散入固相
的粒子數(shù)目
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