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本文標(biāo)題："氧化膜生長(zhǎng)和微動(dòng)碎屑細(xì)致的表面分析顯微鏡"
新聞來源：未知 發(fā)布時(shí)間：2017-6-25 0:50:47 本站主頁地址：http://m.zulinpingtai.cn
氧化膜生長(zhǎng)和微動(dòng)碎屑細(xì)致的表面分析顯微鏡
微動(dòng)情況下電接觸的研究結(jié)果表明，接觸電阻劣化的方式與接
觸閉合狀態(tài)下發(fā)生氧化作用的方式相同。唯一的區(qū)別是后者的變量
是時(shí)間，而前者的變量是微動(dòng)周期數(shù)。
對(duì)微動(dòng)后的接觸區(qū)域進(jìn)行了細(xì)致的表面分析，結(jié)果表明接觸劣
化的原因是接觸區(qū)域氧化膜的生長(zhǎng)和微動(dòng)碎屑。在閉合接觸時(shí)，表
面氧化物的生長(zhǎng)是造成接觸劣化的主要機(jī)理。已經(jīng)證明微動(dòng)加速了
觸點(diǎn)的劣化。因此，將閉合接觸時(shí)的氧化一驅(qū)動(dòng)接觸劣化的機(jī)理推
廣到微動(dòng)條件下的接觸是有道理的。由于兩種情況下(閉合接觸有
或沒有微動(dòng))的劣化機(jī)理相同，即氧化劑擴(kuò)散到接觸間隙，所以這
一假設(shè)是合理的。
觸點(diǎn)的氧化作用可看作類似于金屬中沿晶界的氧化作用的過程
。眾所周知，由于氧化劑離子沿晶界的擴(kuò)散更密集充分，所以與金
屬基體中的氧化作用相比，沿晶界的氧化作用發(fā)生得更快，蔓延得
更深。需要指出的是，金屬的氧化是金屬離子通過氧化物擴(kuò)散至表
面的結(jié)果
相似和極其不相似金屬的接觸面，晶界都是有利于離子遷移的
位置。因此有理由假設(shè)，接觸區(qū)域內(nèi)氧化劑的擴(kuò)散是觸點(diǎn)的氧化機(jī)
理之一。也就是說，觸點(diǎn)內(nèi)形成的氧化膜的厚度與氧化物的濃度C
成正比。
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